提高金刚石异质外延形核均匀性的方法.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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提高金刚石异质外延形核均匀性的方法.pdf

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提高金刚石异质外延形核均匀性的方法，本发明属于异质外延单晶金刚石制备领域，它为了解决常规BEN工艺下偏置电流水平较低，导致金刚石异质外延形核的均匀性较差的问题。提高形核均匀性的方法：一、在衬底上沉积Ir薄膜，然后在退火后的复合衬底的背面和侧面沉积金膜；二、用直流偏压增强形核工艺在样品托上沉积金刚石薄层；三、通入氢气，激活等离子体，通入甲烷气体，控制甲烷的体积分数，开启直流偏压电源，进行偏压增强形核，然后降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长，直至生长结束。本发明使得异质外延所形核所需要的含碳粒子扩

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114134566 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202110732256.1 C23C 14/58 (2006.01)