超低损耗硅波导及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.55万字
约 12页
2023-03-01 发布于四川
举报
版权申诉

超低损耗硅波导及其制备方法.pdf

1、本文档共12页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供了一种超低损耗硅波导及其的制备方法，制备方法包括以下几个步骤：挑选作为衬底的SOI晶圆；热氧化第一硅层的上部；刻蚀第二二氧化硅层；沉积二氧化硅，形成第三二氧化硅层；在第三二氧化硅层上方注入氧离子，形成富氧离子层；刻蚀除去第二二氧化硅层与第三二氧化硅层；在第一硅层的上方沉积二氧化硅，形成第四二氧化硅层；高温退火，使得富氧离子层反应形成第五二氧化硅层；刻蚀除去第四二氧化硅层，制得成品，成品中第五二氧化硅层下方的第一硅层即为波导层，而第三凸起部下方的第一硅层即为硅波导。本公开将波导图案转移至

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113703093 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202111017770.3 (22)申请日 2021.08.31 (71)申请人中国科学院半导体研究所