多EMI屏蔽层的倒装芯片封装结构.pdfVIP

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本申请涉及一种多EMI屏蔽层的倒装芯片封装结构,所述封装结构包括:基板及倒装芯片,所述倒装芯片贴装于所述基板的表面,所述倒装芯片的底部填充有非导电胶;多个EMI屏蔽层,所述多个EMI屏蔽层依次包覆在所述倒装芯片和非导电胶的表面以实现EMI屏蔽,所述多个EMI屏蔽层之间填充有非导电胶。本实用新型通过多级EMI屏蔽层结构,其抗干扰性能优于传统增加单层屏蔽金属层厚度的方式,将该多EMI屏蔽层封装在产品内部可以有效提升产品的可靠性。此外,还可对整片封装基板进行作业,比传统EMI屏蔽结构需要切成单颗产品进

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026119 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202022107079.1 (22)申请日 2020.09.23 (73)专利权人 东莞记忆存储科技有限公司

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