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本发明公开了一种红外探测器芯片及其制作方法与应用,该红外探测器芯片,包括衬底层,其特征在于:所述衬底层表面设有读出电路层,所述读出电路层表面部分区域设有In电极,所述读出电路表面剩余部分区域设有绝缘层;所述In电极表面设有外延层;所述外延层表面部分区域设有绝缘层;所述外延层表面剩余部分区域设有N型电极。本发明提出了一种红外探测器的制作方法,将相关技术中的探测器芯片制作和ROIC高精度倒装共晶焊接合二为一,提出一种新的工艺路线,避免了高精度倒装共晶焊接设备及其技术,简化组件的制作路线并降低其成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497244 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210069585.7
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 中山德华芯片技术有
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