一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件.pdfVIP

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2023-03-02 发布于四川
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一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件.pdf

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本实用新型公开了一种轻掺杂源极区分裂栅结构的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的P型漂移区，P型漂移区上的N型区，N型区上的P型轻掺杂区，P型轻掺杂区上的P型重掺杂源区，在P型轻掺杂区中间设有贯穿N型区并延伸至P型漂移区的栅结构，在栅结构中的两个控制栅和一个屏蔽栅，栅结构用高K绝缘材料，两个控制栅用多晶硅材料，一个屏蔽栅用导电材料，P型重掺杂源区引出源极，两个控制栅引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过P型轻掺杂区的P型掺杂元素、剂量和区域减小沟道比导通电阻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213071149 U (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202021866641.2 (22)申请日 2020.08.31 (73)专利权人厦门芯一代集成电路有限公司