电子元器件可靠性HTRB-HTGB介绍.pptx

HTRB HTGB可靠性壽命測試解讀;測試介紹 壽命計算 異常判定 實驗中斷處理 各標準的比較 業界供應商測試條件 建議測試電路 測試制定 by ECME;一、HTRB;一、HTGB;二、壽命計算---活化能的選取;二、壽命計算---活化能的選取（續）;二、壽命計算---The chi-square valueχ2;二、HTRB壽命計算--1/3;BJT Bonding wire Lift 以95%信賴水準為基準 （χ2=5.99） 以正常使用80℃（353K），加速至125℃（398K） 活化能1.26eV（ bonding wire lift） 測試數量：77pcs 測試時間：1,000 hrs 失效樣品數：0 pcs 參考標準 : Follow JESD22-A108;MOSFET Gate oxide defect 以95%信賴水準為基準 （χ2=5.99） 以正常使用80℃（353K），加速至125℃（398K） 活化能0.3eV（Gate oxide defect, field oxide edge, gate oxide, thk25 nm） 測試數量：77pcs 測試時間：1,000 hrs 失效樣品數：0 pcs 參考標準 : Follow JESD22-A108;三、異常判定;三、試驗中斷處理;四、試驗中斷處理;1. JESD22-A108D;五、可靠性壽命測試標準對比（續）;六、業界供應商的執行情況（Diode）;六、業界供應商的執行情況（BJT）;六、業界供應商的執行情況（MOSFET）;六、業界供應商的執行情況（MOSFET）-續;六、業界供應商的執行情況總結;七、建議測試電路;八、測試標準和等級制定