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本公开涉及工程材料技术领域,尤其涉及一种光生伏特结构及应用光生伏特结构的装置。该光生伏特结构包括依次层叠设置的正电极板、P型半导体、N型半导体、防反射层和负电极栅线;其中,P型半导体背向正电极板的一侧表面形成有凸起的第一锥体,N型半导体背向P型半导体的一侧表面形成有凸起的第二锥体。本公开提供的光生伏特结构,通过在P型半导体背向正电极板的一侧表面形成凸起的第一锥体,在N型半导体背向P型半导体的一侧表面形成凸起的第二锥体,锥体结构可有效汇集来自各个方向的太阳辐射,提高太阳辐射光子大角度撞击半导体接触
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213184307 U
(45)授权公告日 2021.05.11
(21)申请号 202120696955.0
(22)申请日 2021.04.07
(73)专利权人 中
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