一种TFT阵列基板结构.pdfVIP

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2023-03-05 发布于四川
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一种TFT阵列基板结构.pdf

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实用新型公开了一种TFT阵列基板结构，基板分为第一TFT区域和第二TFT区域；第一TFT区域制作第一有源层，第一有源层划分为沟道区域和导体化区域；沟道区域上制作第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上制作第一金属层；制作隔离层，蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层；蚀刻隔离层，形成两个第一通孔；同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层，第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接；所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域，减少第二TFT退火制程H离子扩散，提升第二T

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213212166 U (45)授权公告日 2021.05.14 (21)申请号 202022089818.9 (22)申请日 2020.09.22 (73)专利权人福建华佳彩有限公司