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本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括承载面，承载面包括凹槽，凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使晶圆位于承载面上时，晶圆的背面仅部分位置直接与承载面相接触，晶圆背面的边缘为悬空状态，使晶圆在中转时将易堆积和积累硅渣的背面边缘区域悬空，避免了已加工的晶圆对承片台和待加工的晶圆的影响，有助于提高产品的质量及性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213212143 U
(45)授权公告日 2021.05.14
(21)申请号 202021141566.3
(22)申请日 2020.06.18
(73)专利权人 成都士兰半导体制造有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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