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本实用新型公开了一种防止电压漂移的校准设备,包括测试治具主体,所述测试治具主体设有MCU、多个GPIO、主测试板、光开关、OLT下行光接入光口、升压电路、限放电路以及电源,所述MCU通过GPIO连接到光开关,光开关通过光纤OLT下行光接入光口连通,OLT下行光接入光口连接有RX光源,光开关还与待测BOSA组件连通。本实用新型在测试治具上添加OLT下行光接入光口,使得在进行APD测试前,先对BOSA组件进行通大光老化实验,在生产阶段就进行老化测试,能够有效防止现网使用接入OLT下行光引起的VBR电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213240399 U
(45)授权公告日 2021.05.18
(21)申请号 202021681140.7
(22)申请日 2020.08.13
(73)专利权人 芯河半导体科技(无锡)有限公司
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