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本实用新型公开一种高性能毫米波低噪声的单级放大器,涉及通信领域。针对现有技术中放大器片外干扰大、增益平坦度低等问题提出本方案。MOS管M1栅极通过输入匹配电路作为输入级连接电容C1,输入匹配电路的电压端通过前级栅极偏置电路连接直流焊盘Vg1;MOS管M1源极通过微带线TLs接地;MOS管M2栅极通过后级栅极偏置电路连接直流焊盘Vg2;MOS管M2漏极通过输出匹配电路作为输出级连接电容C4,输出匹配电路的电压端通过漏极偏置电路连接直流焊盘Vd;MOS管M1的漏极和MOS管M2的源极之间串接共源共栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213243930 U
(45)授权公告日 2021.05.18
(21)申请号 202022606037.2
(22)申请日 2020.11.11
(73)专利权人 华南理工大学
地址
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