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目录
摘要 I
Abstract III
目录VI
第1 章 绪论 1
1.1 引言 1
1.2 阻变随机存储器2
1.2.1 RRAM 的器件结构及性能参数2
1.2.2 RRAM 的材料体系3
1.3 阻变随机存储的阻变机制4
1.3.1 导电细丝模型4
1.3.2 空间电荷限制电流机制7
1.3.3 普尔-弗兰克发射机制8
1.3.4 肖特基发射机制8
1.4 钙钛矿阻变存储器的简介9
1.4.1 钙钛矿阻变层材料概述9
1.4.2 卤化物钙钛矿存储器的发展及现状10
1.5 本论文的选题依据和研究意义12
第2 章 钙钛矿结构薄膜的制备工艺及表征方法14
2.1 薄膜制备工艺14
2.1.1 脉冲激光沉积法14
2.1.2 磁控溅射法14
2.1.3 水热外延法15
2.1.4 溶胶-凝胶法15
2.2 薄膜物相表征及性能测试技术16
2.2.1 X 射线衍射分析16
2.2.2 扫描电子显微镜表征16
2.2.3 紫外可见分光光度表征17
2.2.4 X 射线光电子能谱分析18
2.2.5 紫外光电子能谱分析18
2.2.6 导电原子力显微镜分析19
2.2.7 阻变特性测试系统19
2.3 实验仪器20
第3 章 CsPb Br -CsPbBr 的阻变特性及光场调控研究21
2 5 3
3.1 引言21
3.2 CsPb Br -CsPbBr 基阻变存储器的制备及物相表征22
2 5 3
3.2.1 CsPb Br -CsPbBr 薄膜的制备22
2 5 3
3.2.2 CsPb Br -CsPbBr 薄膜物相表征23
2 5 3
3.3 Au/CsPb Br -CsPbBr /ITO 器件阻变性能测试及分析24
2 5 3
3.3.1 Au/CsPb Br -CsPbBr /ITO 器件黑暗下的阻变性能测试25
2 5 3
3.3.2 Au/CsPb Br -CsPbBr /ITO 器件光照下的阻变性能测试26
2 5 3
3.4 Au/CsPb Br -CsPbBr /ITO 器件阻变及光控阻变机制分析29
2 5 3
3.5 本章小结32
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