一种光泵浦半导体激光器芯片.pdfVIP

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2023-03-09 发布于四川
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一种光泵浦半导体激光器芯片.pdf

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本实用新型属于半导体激光器领域，涉及一种光泵浦半导体激光器芯片，至少包括半导体芯片有源区，有源区仅设置一组量子阱，该组量子阱包含1个或连续多个量子阱。具有以下优点：本实用新型由于相邻量子阱之间的间隔较小，因此载流子可在相邻量子阱之间自由穿行，各阱中载流子可趋于均匀分布；仅设置一组量子阱使得垒区的厚度不再限定为周期性量子阱结构中相邻周期量子阱之间的半波长，可以设置的足够大，让泵浦光经过时能够被充分吸收；采用较少的量子个数使得各量子阱中载流子能在更低的泵浦功率密度下实现粒子数反转，这样就可得到较低阈

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213367030 U (45)授权公告日 2021.06.04 (21)申请号 202022612152.0 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020