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本实用新型涉及一种应用于电子终端产品的电容式MEMS压力传感器,由若干电容单元阵列形成,所述电容单元包括由下至上依次设置的基底、在基底上重掺杂形成的下极板、氧化硅层、以及采用CMOS薄膜形成的上极板;所述氧化硅层作为牺牲层,形成上极板与下极板之间的电容间隙;所述CMOS薄膜包括下多晶硅层及上多晶硅层,所述下多晶硅层上设置有若干牺牲层释放孔,所述上多晶硅层使电容间隙形成真空密封;本实用新型采用若干电容单元阵列形成,使得每个电容单元的尺寸可以减少,CMOS薄膜的厚度以及电容间隙相对于传统的结构尺寸可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213364087 U
(45)授权公告日 2021.06.04
(21)申请号 202022806319.7
(22)申请日 2020.11.27
(73)专利权人 路溱微电子技术(苏州)有限公司
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