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本实用新型公开了一种电极导通效果强的压电晶片,包括陶瓷块,陶瓷块上端右侧均通过镶嵌固定设有导电芯片,陶瓷块前端开设有连接槽,陶瓷块后端通过一体浇筑设有连接块,陶瓷块上端和下端相应位置均通过粘黏连接设有保护膜,连接块的体积小于连接槽的体积,连接块与连接槽紧密套装连接,保护膜上端与导电芯片相应位置均开设有贯穿孔,陶瓷块采用氮化硅陶瓷材质,保护膜采用PCM相变薄膜材质,导电芯片采用高温烧金材质,氮化硅陶瓷是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷,强度很高,是世界上最坚硬的物质之一,具有高强度、低密度、耐高温等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213425015 U
(45)授权公告日 2021.06.11
(21)申请号 202022752606.4
(22)申请日 2020.11.25
(73)专利权人 上海博瓷电子科技有限公司
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