一种超结型半导体器件.pdfVIP

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2023-03-12 发布于四川
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一种超结型半导体器件.pdf

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本实用新型涉及半导体器件的制造技术领域，尤其涉及一种超结型半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底上设有多层超结结构；每层超结结构包括具有一第一导电类型杂质的外延层和具有一第二导电类型杂质的填充区交替排列；多层超结结构的杂质浓度自下而上依次增加。本实用新型技术方案具有如下优点或有益效果：提出了一种新型的具有多层次超结结构的半导体器件，可以避免采用深沟槽工艺一次性刻槽引起的明显EMI问题，增强产品的抗电磁干扰能力，此外，本实用新型的超结器件生产成本较低。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213483709 U (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202021805759.4 (22)申请日 2020.08.25 (73)专利权人上海维安半导体有限公司