半导体晶体制造装置及其配管构造.pdfVIP

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2023-03-12 发布于四川
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半导体晶体制造装置及其配管构造.pdf

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本申请的半导体晶体制造装置具备将被向制造半导体晶体的腔内导入的气体排出的第1~第4排气口、各一端分别与对应的各第1~第4排气口连接的个别排气管(31A~31D)、与个别排气管(31A~31D)的各另一端连接的结合管(32)。从各第1~第4排气口经由对应的各个别排气管(31A~31D)至结合管(32)的第2结合部(C21)的距离均实质上相等。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213476156 U (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202021941143.X (22)申请日 2020.09.08 (30)优先权数据