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本实用新型公开了一种增强型远红外辐射半导体制热暖垫结构,该结构包括半导体材料制热层,用于通电后产生热量;所述半导体材料制热层包括第一基材以及电极组件,所述第一基材的至少一侧表面形成有无机材料半导体层,所述电极组件包括与所述无机材料半导体层的两侧形成欧姆接触的至少两个第一电极。本申请提供的增强型远红外辐射半导体制热暖垫结构,温度偏差可以控制在±1℃以内而且随着使用时间的延长,长达50年的使用寿命内的衰减程度小于5%。内部叠加了远红外辐射加强层,提升了远红外的辐射量,提高了人体温度的舒适度和增强了身
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213485180 U
(45)授权公告日 2021.06.18
(21)申请号 202121092408.8
(22)申请日 2021.05.21
(73)专利权人 中熵科技(北京)有限公司
知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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