一种半导体激光器.pdfVIP

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2023-03-15 发布于北京
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本实用新型实施例公开了一种半导体激光器，激光器包括：激光器外延结构，激光器外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层，多层外延层包括中间外延层以及依次位于中间外延层远离衬底一侧的上光场限制层和上接触层；位于上接触层远离衬底一侧的第一电极层；其中，第一电极层、上接触层和部分上光场限制层形成脊形结构；覆盖剩余上光场限制层以及脊形结构侧壁的第一介质层；位于脊形结构两侧且位于第一介质层远离衬底一侧的第二电极层；位于衬底远离激光器外延结构一侧的第三电极层。本实用新型解决了现有技术中激光器中电流横向扩展的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213584599 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202023055501.X (22)申请日 2020.12.17 (73)专利权人因林光电科技（苏州）有限公司