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本实用新型公开了一种具有复合尺寸的LED芯片,包括衬底、外延层、切割道、以及设于外延层上的电极;所述外延层设有n个波长区域,n≥2,每个波长区域的外延层的波长不同;所述切割道沿着外延层的表面贯穿至衬底表面,所述切割道将外延层分隔成多个发光结构,其中,位于同一波长区域的发光结构尺寸相同,不同波长区域的发光结构尺寸不同。本实用新型根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的发光结构,其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的发光结构,以提高芯片成品良率,出货效率,以及减少不同波段芯片的库存。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213583841 U
(45)授权公告日 2021.06.29
(21)申请号 202022939584.2 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2020
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