一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构.pdfVIP

一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构.pdf

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本实用新型涉及一种减缓边缘场强畸变的电容器元件结构,包括元件本体,该元件本体采用上极板、下极板和介质层卷制而成,使得所述上极板和下极板之间夹设有所述介质层,该介质层包括若干聚丙烯薄膜,且所述上极板和下极板为凸极折边结构,位于所述元件本体的最外侧的所述介质层中夹设有两个衬垫,两个所述衬垫分别位于所述元件本体的顶部和底部,使得所述元件本体的上表面和下表面平整;所述衬垫包括若干沿所述元件本体的厚度方向叠放的绝缘衬纸。本实用新型在元件本体卷制完成后在其上下表面的最外侧的介质层之间插入衬垫,以弥补其中间位

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583513 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022842637.9 (22)申请日 2020.12.01 (73)专利权人 上海上电电容器有限公司

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