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本实用新型公开了一种用于高基频谐振器晶片的治具,包括从上到下依次设置的上掩膜片、定位片和下掩膜片;上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层,下掩膜片上的电极位于凸形层的内部,凸形层嵌入到与定位槽中;定位槽远离电极的两角为圆弧形,该实用新型中:上掩膜片和下掩膜片上的每个电极槽上设有一个凸形层,在生产排片过程,通过下掩膜片、上掩膜片的凸形层可以有效的将高基频晶片固定在定位槽内,采用此种设计就可以增加定位片的厚度,也避免了晶片跑片的风险,完全可满足高基频晶片批量生产需求;定位槽远离电极的两角为
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213674897 U
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202021148644.2
(22)申请日 2020.06.19
(73)专利权人 江苏海德频率科技有限公司
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