一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延结构.pdfVIP

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2023-03-25 发布于北京
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一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延结构.pdf

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本实用新型提供了一种具有低电阻率P型层的深紫外LED外延结构，属于半导体光电子技术领域，包括衬底、在衬底之上的电子阻挡层、层叠在电子阻挡层上的P型AlGaN层和层叠在P型AlGaN层上的P型GaN层，所述P型GaN层为多层复合结构，P型GaN层由多种P型GaN子层交叠生长形成。本实用新型晶体质量高，P型杂质活化率高，整体发光效率高，材料内部的氮空位少，掺杂效率高、导电性能好，且外观质量好。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213878133 U (45)授权公告日 2021.08.03 (21)申请号 202022863160.2 (22)申请日 2020.12.03 (73)专利权人至芯半导体（杭州）有限公司