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本实用新型涉及功率半导体芯片技术领域,且公开了一种功率半导体芯片电极结构,包括功率半导体芯片和电极片,所述功率半导体芯片的上表面两侧均从左至右依次开设有多个散热槽,多个所述散热槽的槽底中部均开设有放置槽,多个所述电极片均嵌套设置于对应的放置槽的内部,多个所述散热槽的表面均固定设置有多个散热块,多个所述散热块的内侧均与对应的电极片的侧壁相抵,所述散热槽的表面且位于多个所述散热块之间均开设有散热孔,多个所述电极片的外侧一端均开设有凹槽,多个所述凹槽的内部均插接有引脚,多个所述凹槽的两侧壁均从前至后依
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213936178 U
(45)授权公告日 2021.08.10
(21)申请号 202022846012.X
(22)申请日 2020.12.02
(73)专利权人 陕西斯凯迪物联科技有限公司
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