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靖芯 JXP8811KRG
STBCHIP 20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP8811KRG uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications.
GENERAL FEATURES
VDS =-20V，ID =-1.5A
RDS(ON)(Typ.)=150mΩ @VGS=-2.5V
PIN ASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=115mΩ @VGS=-4.5V
High power and current handing capability SOT-363
Lead free product is acquired (TOP VIEW)
Surface mount package D1 G2 S2
6 5 4
APPLICATION
PWM applications 8 8 1 1
Load switch
PACKAGE 1 2 3
S1 G1 D2
SOT-363
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP8811KRG -55°C to +150°C SOT-363 8811 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25℃ unless otherwise noted)
parameter symbol limit unit
Drain-source voltage VDS -20 V
Gate-source voltage VGS ±12 V
T =25°C
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