JXP6813MRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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2023-04-01 发布于广东
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靖芯 JXP6813MRG STBCHIP 20V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM The JXP6813MRG uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and high density cell Design for ultra low on-resistance. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES  VDS =-20V ，ID =-3A RDS(ON)(Typ.)=80mΩ @VGS=-2.5V PIN ASSIGNMENT RDS(ON)(Typ.)=65mΩ @VGS=-4.5V  High power and current handing capability SOT-23-6L  Lead free product is acquired (TOP VIEW)  Surface mount package D1 S1 D2 6 5 4 APPLICATION  PWM applications 6 8 1 3  Load switch PACKAGE 1 2 3  SOT23-6L G1 S2 G2 ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP6813MRG -55°C to +150°C SOT23-6L 6813 3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-source voltage VGS ±12 V T =25°C -3