JXP2312MRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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2023-04-01 发布于广东
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靖芯 JXP2312MRG STBCHIP 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM The JXP2312MRG uses advanced trench D technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and high density cell Design for ultra low on-resistance. This device is suitable for use as G a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES S  VDS =20V，ID =6A RDS(ON)(Typ.)=18mΩ @VGS=2.5V PIN ASSIGNMENT RDS(ON)(Typ.)=16mΩ @VGS=4.5V  High power and current handing capability SOT23-3L  Lead free product is acquired (TOP VIEW)  Surface mount package D 3 APPLICATION  PWM applications 2 3 1 2  Load switch PACKAGE 1 2  SOT23-3L G S ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP2312MRG -55°C to +150°C SOT23-3L 2312 3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25℃ unless otherwise noted) A parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS 20 V