JXP2309MRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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2023-04-01 发布于广东
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靖芯 JXP2309MRG STBCHIP 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM The JXP2309MRG uses advanced trench S technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and high density cell Design for ultra low on-resistance. This device is suitable for use as G a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES D  VDS =-60V，ID =-2A RDS(ON)(Typ.)=185mΩ @VGS=-4.5V PIN ASSIGNMENT RDS(ON)(Typ.)=145mΩ @VGS=-10V  High power and current handing capability SOT23-3L  Lead free product is acquired (TOP VIEW)  Surface mount package D 3 APPLICATION  PWM applications 2 3 0 9  Load switch PACKAGE 1 2  SOT23-3L G S ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP2309MRG -55°C to +150°C SOT23-3L 2309 3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS -60 V Gate-source voltage