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靖芯 JXPBSS138VRG
STBCHIP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
This MOSFET has been designed to minimize D
the on-state resistance(RDS(on)) and yet maintain
superior switching performance, making it ideal for
high efficiency power management applications. G
GENERAL FEATURES
VDS = 50V,ID = 0.22A
S
RDS(ON)(Typ.)=0.56Ω @VGS=10V
RDS(ON)(Typ.)=0.61Ω @VGS=4.5V
PIN ASSIGNMENT
Dual N-Channel MOSFET
Low Gate Threshold Voltage SOT-23
Low Input Capacitance (TOP VIEW)
Fast Switching Speed D
3
APPLICATION
PWM applications S S
Load switch
PACKAGE 1 2
G S
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXPBSS138VRG -55°C to +150°C SOT-23 SS 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25℃ unless otherwise noted)
parameter symbol limit unit
Drain-source voltage VDS 50 V
Gate-source voltage
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