JXP8205AMRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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2023-04-01 发布于广东
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靖芯 JXP8205AMRG STBCHIP 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM The JXP8205AMRG uses advanced trench D1/D2 D1/D2 technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and high density cell Design for ultra low on-resistance. This device is suitable for use as G1 G2 a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES S1 S2  VDS =20V，ID =5A PIN ASSIGNMENT RDS(ON)(Typ.)=24mΩ @VGS=2.5V RDS(ON)(Typ.)=18mΩ @VGS=4.5V SOT-23-6L  High power and current handing capability (TOP VIEW)  Lead free product is acquired G1 D1/D2 G2  Surface mount package 6 5 4 APPLICATION  PWM applications 8205A  Load switch PACKAGE 1 2 3 S1 D1/D2 S2  SOT23-6L ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP8205AMRG -55°C to +150°C SOT23-6L 8205A 3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS 20 V Gate-source voltage VGS ±12