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靖芯 JXP9435SRG
STBCHIP 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP9435SRG uses advanced trench S
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as G
a load switch or in PWM applications.
GENERAL FEATURES D
VDS =-30V，ID =-5.3A
PIN ASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=65mΩ @VGS=-4.5V
RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-10V SOP-8
High power and current handing capability
Top View Bottom View
Lead free product is acquired
Surface mount package
APPLICATION
PWM applications
Load switch
PACKAGE
SOP-8 XXYY:Date code
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP9435SRG -55°C to +150°C SOP-8 9435/XXYY 4000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T =25℃ unless otherwise noted)
A
parameter symbol limit unit
Drain-source voltage VDS -30 V
Gate-source voltage VGS ±20 V
T =25°C -5.3
C
Continuous Drain Current ID
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