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靖芯 JXP7002KRG
STBCHIP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
This MOSFET has been designed to minimize
the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain
superior switching performance, making it ideal
for high efficiency power management
applications.
GENERAL FEATURES
VDS = 60V,ID = 0.3A
RDS(ON) 3Ω @ VGS=4.5V
RDS(ON) 2.3Ω @ VGS=10V
PIN ASSIGNMENT
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance SOT-323
Fast Switching Speed (Top view)
ESD Rating: 2000V HBM D
3
APPLICATION
PWM applications
K 7 2
Load switch
PACKAGE 1 2
SOT-323 G S
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP7002KRG -55°C to +150°C SOT-323 K72 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25℃ unless otherwise noted)
parameter symbol limit unit
Drain-source voltage VDS 60 V
Gate-source voltage VGS ±20 V
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