JXP7002KRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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靖芯 JXP7002KRG STBCHIP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. GENERAL FEATURES  VDS = 60V,ID = 0.3A RDS(ON) 3Ω @ VGS=4.5V RDS(ON) 2.3Ω @ VGS=10V PIN ASSIGNMENT  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance SOT-323  Fast Switching Speed (Top view)  ESD Rating: 2000V HBM D 3 APPLICATION  PWM applications K 7 2  Load switch PACKAGE 1 2  SOT-323 G S ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP7002KRG -55°C to +150°C SOT-323 K72 3000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS 60 V Gate-source voltage VGS ±20 V

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