模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研真题.docx

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研真题 第一部分 考研真题精选 一、选择题 以下说法正确的是（ ）。[中山大学 2018 研] 在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体 因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的 D．若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 uGS 大于零，则其输入电阻会明显变小 【答案】A 查看答案 【解析】B 项，N 型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C 项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D 项，若耗尽型N 沟道MOS 管的 uGS 大于零，其输入电阻并不会有明显变化。 当场效应管的漏极直流电流ID 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导 gm 将（ ）。 [中山大学 2018 研] A．增大 B．不变C．变小 【答案】A 查看答案 【解析】低频跨导gm 为ΔID 与ΔuGS 之比，当漏极直流电流ID 从 2mA 变为4mA 时，显然 gm 增大。 3PN 结加正向电压，空间电荷区将（ ）。[中山大学 2017 研] A．变窄 B．基本不变C．变宽 【答案】A 查看答案 【解析】PN 结外加正向电压，P 区中的多数载流子空穴和N 区中的多数载流子电子都要向 PN 结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得 PN 结变窄。4 二极管的电流方程为（ ）。[中山大学 2017 研] A．IseU B． C． 【答案】C 查看答案 【解析】二极管的 I－V 特性方程为 其中，n 为发射系数，其值在 1～2 之间，通常取 1，则 5UGS＝0 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）和（ ）。[中山大学 2017 研] A． 结 型 管 B．增强型 MOS 管 C．耗尽型 MOS 管 【答案】A；C 查看答案 【解析】N 型结型管和耗尽型 MOS 管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth 为负。而增强型 MOS 管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth 为正。P 型结型管和耗尽型 MOS 管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth 为正。而增强型 MOS 管的开启条件为UGS ＜UGSth，UGSth 为负。综上，结型管和耗尽型 MOS 管符合题目要求。 晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率 fα、fβ、fT 之间的关系是（ ）。[北京邮电大学 2016 研] A．fα＞fβ＞fT B．fα＜fβ＜fT C．fβ＜fα＜fT D．fβ＜fT＜fα 【答案】D 查看答案 【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率fT＝βfβ，共基截止频率 fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以 fβ＜fT＜fα。 以下说法错误的是（ ）。[北京邮电大学 2016 研] A．N 型半导体的多子是自由电子，因此该类半导体带负电B．PN 结有内建电场，因此即使没有外加电压，也会形成电流 C．处于放大状态的晶体管，集电极的电流主要来自于发射区的多子D．二极管一旦发生击穿，就损坏不能使用了 【答案】ABCD 查看答案 【解析】A 项，N 型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；B 项，PN 结本身就是动态平衡的产物，因此无外加电压时，其动态平衡并未打破，所以没有电流；C 项，晶体管放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，集电极的电流主要来自于少子而非多子；D 项，反向击穿不一定损坏，如果在限流情况下，虽然击穿，但电流不大，在降压后是可逆的，二极管仍可以正常使用。 二极管电路如图 1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A 点的电位是（ ）。[山东大学 2017 研] 图 1-1-1 A．4.3V B．1V C．2.1V 【答案】B 查看答案 【解析】若 A 点电位为 4.3V，则所有二极管均导通，而 0.3＋0.7V＝1V≠ 4.3V，所以 A 项矛盾，同理C 项排除。 稳压管电路如图 1-1-2，设稳压管稳压值为 5V，忽略稳压管的正向导通压降，Ui ＝25V，则 IZ＝（ ）。[山东大学 2017 研] 图 1-1-2 8mA 0mA C．5mA 【答案】C 查看答案 【解析】稳压管反向导通，稳压值为 5V，IZ＝（25－5）/2000－5/1000 ＝5mA。 三极管放大电路如图 1-1-3 所示，设此电路静态工作点不合适使输出信号出现了饱和失真，应该（ ）来改善失真。[山东大学 2019 研] 图 1-1-3 增大Rb 减小 Rb 增加 RC 【答案】A 查看答案 【解析】若静态工作点过高，则输入信号的正半周，晶体管进入饱和区工 作，ib、ic、uce 的波形会出现严重失真，输出波形uo 底部将被削平，这种失真称为饱和失真；消除饱和失真