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第一部分 半导体的基本知识
二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条
件。
1、 导体导电和本征半导体导电的区别: 导体导电只有一种载流子:自由电子导电
半导体导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电
自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带电荷极性不同,故运动方
向相反。
2、 本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。
3、 杂质半导体
(1)N 型半导体——掺入五价元素 (2)P 型半导体——掺入三价元素
4、 PN 结——P 型半导体和 N 型半导体的交界面
在交界面处两种载流子
在交界面处两种载流子
的浓度差很大;空间电荷
反向电压超过一定值时,5、 PN 结的单向导电性——外加电压
反向电压超
过一定值时,
正向偏置 反
向偏置
6、 二极管的结构、特性及主要参数
(1)P 区引出的电极——阳极;N 区引出的电极——阴极
温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下移。二
温度升高时,二极管的正向特性曲
线将左移,反向特性曲线下移。二
其中,Is 为反向电流,Uon 为开启电压,硅的开启电压——0.5V,导通电压为 0.6~
反向饱和电流0.1μ A,锗的开启电压——0.1V,导通电压为 0.1~0.3V,反向饱和电
μ A。
主要参数
最大整流电流 I:最大正向平均电流
最高反向工作电流 U:允许外加的最大反向电流,通常为击穿电压 U 的一半
反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性 越好,对温度越敏感
最高工作频率 f:二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现
电性
7、稳压二极管
在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内),端电压几乎不变 出稳压特性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。
稳压管的伏安特性
主要参数
稳定电压 U:规定电流下稳压管的反向击穿电压
稳定电流 I:稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果
甚至根本不稳压,只要不超过稳压管的额定功率,电流越大稳 越好。
【附加】限流电阻:由于稳压管的反向电流小于I 时不稳定, 大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏,故要串联一个限流电 稳压管正常工作。
额定功率 P:等于稳定电压 U 与最大稳定电流 I 的乘积。超过此值时稳压管
结温度过高而损坏。
动态电阻r:在稳压区,端电压变化量与电流变化量之比。r 越小,说明电时稳定电压的变化越小,稳压特性越好。
温度系数 α :表示电流不变时,温度每变化1℃稳压值的变化量,即α =△ U4V 时,α 为负值,即温度升高时稳定电压值下降;
U7V 时,α 为正值,即温度升高时稳定电压值上升;
4U7V 时,α 很小,近似为零,性能稳定。
7、 双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参
主要以
主要以 NPN 型硅管为例讲解放大作用、
曲线和主要参数
放大是对模拟信号最基本的处理。
晶体管是放大电路的核心元件,它能控
P 区很薄且杂质浓度很低,
制能量的转换,将输入的任何微小变化
Ie:发射区杂质浓度高,基区杂质
发射区-上层的 N 区杂质浓
不失真地放大输出,放大的对象是变化
到达基区。
浓度低,大量自由电子越过发射结
度很高,集电区 -下层的 N
Ib:基区很薄,杂质浓度低
特性曲线
主要参数
直流参数
①共射直流电流系数 β
②共基直流电流放大系数 α
③极间反向电流——硅管的温度稳定性比锗管的好 发射极开路时集电结的反向饱和电流——Icbo
基极开路时集电极与发射极间的穿透电流——Iceo 2)交流参数
①共射交流电流系数 β
②共基交流电流放大系数 α
③特征频率 fT——使 β 下降到 1 的信号频率称为特征频率
3)极限参数——为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率耗损的限制
①最大集电极耗散功率 P——是一个确定的值决定于晶体管的温升。P=iu=常数
②最大集电极电流 I
使β 明显减小的 i 即为 I
③极间反向击穿电压
第二部分 基本放大电路及多级放大电路
晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点,动态和静态的分析方法。
1、 放大的概念
放大的前提是不失真,即只有在不失真的情况下放大才有意义。晶 体管和场效应管是放大电路的核心元件。
任何稳态信号都可以分解为若干频率正弦信号的叠加,所以放大电 路以正弦波为测试信号。
2、 基本共射放大电路的工作原理
设置静态工作点的必要性
静态工作点——I 、I 、U
原因
不设置静态工作点会使输出电压严重失真,输出电压也毫无变
化。
Q 点不仅会影响电路是否会产生是真,还会影响着放大电路几乎所有的动态系
数。
工作原理及波形分析
所
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