JXP4953SRG_E靖芯-恒佳盛原厂一级代理.pdf

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2023-04-01 发布于广东
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靖芯 JXP4953SRG STBCHIP 30V Dual P-Channel Enhancement MOSFET DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM The JXP4953SRG uses advanced trench S1 S2 technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G1 G2 GENERAL FEATURES D1 D2  VDS =-30V,ID =-5.0A P1 P2 RDS(ON)=46mΩ (typical) @ VGS=-10V RDS(ON)=65mΩ (typical) @ VGS=-4.5V PIN ASSIGNMENT  High density cell design for ultra low Rdson  Fully characterized avalanche voltage and SOP-8 current Top View Bottom View APPLICATION  Power switching application  Hard switched and high frequency circuits  Uninterruptible power supply PACKAGE  SOP-8 XXYY: XX—years code，YY—weeks code ORDERING INFORMATION Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel JXP4953SRG -55°C to +150°C SOP-8 4953/XXYY 4000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage VDS -30 V Gate-source voltage