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靖芯 JXP2307MRG
STBCHIP 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
DESCRIPTION SCHEMATIC DIAGRAM
The JXP2307MRG uses advanced trench S
technology to provide excellent RDS(ON), low gate
charge and high density cell Design for ultra low
on-resistance. This device is suitable for use as
G
a load switch or in PWM applications.
GENERAL FEATURES
D
VDS =-20V，ID =-7.5A
RDS(ON)(Typ.)=27mΩ @VGS=-2.5V
PIN ASSIGNMENT
RDS(ON)(Typ.)=20mΩ @VGS=-4.5V
High power and current handing capability SOT23-3L
Lead free product is acquired (TOP VIEW)
Surface mount package D
3
APPLICATION
PWM applications 2 3 0 7
Load switch
PACKAGE 1 2
SOT23-3L G S
ORDERING INFORMATION
Part Number Storage Temperature Package Marking Devices Per Reel
JXP2307MRG -55°C to +150°C SOT23-3L 2307 3000
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA=25℃ unless otherwise noted)
parameter symbol limit unit
Drain-source voltage VDS -20 V
Gate-source voltage
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