磁控溅射制备掺钨的VO2薄膜研究.doc

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2023-04-04 发布于湖北
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摘要磁控溅射制备掺钨的VO2薄膜研究摘要二氧化钒（VO2）在68℃会发生半导体相向金属相转变的可逆相变。伴随着这种相变,VO2的电学、光学和磁学等物理性质会发生突变。正是由于这一特性，VO2可以应用许多领域。如智能窗、激光防护等方面。掺入其他元素可以使VO2薄膜相变温度降低至室温附近，更有利于其应用。本实验用磁控溅射法研究掺杂钨对二氧化钒相变温度的改变，以及探究最佳掺杂时间。本实验以金属钒为靶材，WO3为掺杂靶材。采用射频反应磁控溅射法在本征单抛硅片上制备了钨掺杂的二氧化钒薄膜，研究了不同掺杂时间对二氧化钒薄膜的影响，探究最佳的掺杂比。利用扫描电子显微镜，X射线分析以及