沟槽绝缘栅双极型晶体管.pdfVIP

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2023-04-05 发布于北京
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沟槽绝缘栅双极型晶体管.pdf

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本实用新型公开一种沟槽绝缘栅双极型晶体管，包括：P型掺杂阱层、轻掺杂N型漂移层、轻掺杂N型缓冲层和重掺杂P型集电区层，位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有依次连接的第一重掺杂N型源极区、重掺杂P型区、第二重掺杂N型源极区，所述第二重掺杂N型源极区位于第二沟槽的周边；一发射极层覆盖于第一重掺杂N型源极区、重掺杂P型区、第二重掺杂N型源极区上表面。本实用新型既提高了双极型晶体管开启操作速度，也提高了器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214152905 U (45)授权公告日 2021.09.07 (21)申请号 202022423571.X (22)申请日 2020.10.27 (73)专利权人开泰半导体（深圳）有限公司