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本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅生长技术领域。该碳化硅单晶生长装置包括生长坩埚、套筒和坩埚顶盖。套筒设置于生长坩埚内，坩埚顶盖盖设于生长坩埚上，坩埚顶盖设置有碳化硅籽晶部，套筒的一端与生长坩埚的底壁抵持，另一端与碳化硅籽晶部配合，生长坩埚的底壁、套筒和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔，生长空腔用于供碳化硅单晶生长。与现有技术相比，本实用新型提供的碳化硅单晶生长装置由于采用了与生长坩埚的底壁和碳化硅籽晶部共同围成生长空腔的套筒，所以能够避免气相碳化硅与生长坩埚和坩埚顶盖直接接触，防止
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214115777 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 202023339628.4
(22)申请日 2020.12.30
(73)专利权人 湖南三安半导体有限责任公司
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