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2023-04-07 发布于北京
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本申请实施例提供一种对位标记结构，所述对位标记结构用于作为参照物，以实现对叠层结构中的介质层和牺牲层的对准，所述对位标记结构至少包括：对位标记结构图案以及包围所述对位标记结构图案的图案支撑结构；所述对位标记结构图案位于所述牺牲层的表面；所述图案支撑结构用于在去除所述牺牲层时支撑所述对位标记结构图案，所述图案支撑结构具有至少一开口，所述开口用于在对所述叠层结构进行等离子体刻蚀时，导出聚集在所述牺牲层上的电荷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215451401 U (45)授权公告日 2022.01.07 (21)申请号 202120446689.6 (22)申请日 2021.03.01 (73)专利权人长江存储科技有限责任公司