外延生长用内部改性衬底和使用其制造的晶体成膜体、器件、块状衬底以及它们的制造方法[发明专利].pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102272891A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102272891 A (43)申请公布 日 2011.12.07 (21)申请号 200980154399.6 (74)专利代理机构 上海音科专利商标代理有限 公司 31267 (22)申请 日 2009.12.04 代理人 赵伟 (30)优先权数据 (51) Int.C l. 2009-006293 2009.01.15 JP H01L 21/20 (2006.01) (85)PCT申请进入国家阶段 日 B23K 26/00 (2006.01) 2011.07.12 C23C 16/02 (2006.01) (86)PCT申请的申请数据 C30B 29/38 (2006.01) PCT/JP2009/006633 2009.12.04 C30B 33/00 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) (87)PCT申请的公布数据 WO2010/082267 JA 2010.07.22 (71)申请人 并木精密宝石株式会社 地址 日本国东京都足立区新田3 丁目8 番 22 号 申请人 株式会社迪思科 (72)发明人 会田英雄 青田奈津子 星野仁志 权利要求书 4 页 说明书 18 页 附图 9 页 (54) 发明名称 外延生长用内部改性衬底和使用其制造的晶 体成膜体、器件、块状衬底以及它们的制造方法 (57) 摘要 本发明提供蓝宝石衬底和使用其制造的氮化 物半导体层成膜体、氮化物半导体器件、氮化物 半导体块状衬底以及它们的制造方法，蓝宝石衬 底主要是氮化物半导体层的外延生长用蓝宝石 衬底，能够有效地精密地控制衬底的翘曲形状和 / 或翘曲量，且能够抑制成膜中产生的衬底的翘 曲从而减小衬底的翘曲行为；在蓝宝石衬底的内 部，透过上述蓝宝石衬底的磨光面侧而将脉冲激 光会聚并进行扫描，从而利用基于上述脉冲激光 的多光子吸收形成改性区域图形，而控制蓝宝石 衬底的翘曲形状和/ 或翘曲量 ；使用通过本发明 A 1 得到的蓝宝石衬底形成氮化物半导体层的话，由 9 8 于能够抑制成膜中的衬底的翘曲而减小衬底的翘 2 7 2 曲行为，因此膜的质量和均匀性提高，从而能够提 2 0 1 高氮化物半导体器件的质量和成品率。 N C CN 102272891 A 权 利 要 求 书 CN 102272901 A 1/4 页 1. 一种外延生长用内部改性衬底，是通过外延生长而形成的结晶性膜的成膜中所使用 的单晶衬底，其特征在于， 在所述单晶衬底的内部，形成有利用了多光子吸收的改性区域图形，其中，多光子吸收 是基于脉冲激光而产生的。 2. 一种外延生长用内部改性衬底，是