掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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掺杂极性层及并入有掺杂极性层的半导体装置.pdf

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所公开的技术大体上涉及铁电材料及半导体装置，且更特定来说，涉及并入有掺杂极性材料的半导体存储器装置。在一个方面中，一种电容器包括结晶极性层，所述结晶极性层包括置换地掺杂有掺杂剂的基底极性材料。所述基底极性材料包括一或多个金属元素及氧或氮中的一或两者。所述掺杂剂包括不同于所述一或多个金属元素的4d系列、5d系列、4f系列或5f系列中的一者的金属元素，使得所述电容器的铁电切换电压与具有未掺杂所述掺杂剂的所述基底极性材料的所述电容器的铁电切换电压相差超过约100mV。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113892157 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202080039200.1 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限