半导体压力传感器及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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半导体压力传感器及其制造方法.pdf

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本发明的目的在于提供能够高精度地对微小的压力进行检测的半导体压力传感器及其制造方法。本发明涉及的半导体压力传感器具有：第1硅基板(1)；第1氧化硅膜(2)，其设置于第1硅基板(1)之上，与第1硅基板(1)一起构成密闭空间(3)；第2硅基板(4)，其设置于第1氧化硅膜(2)之上；应变电阻(11)，其设置于第2硅基板(4)的与设置有第1氧化硅膜(2)的面相对的面的表层，且位于俯视观察时与密闭空间(3)重叠的位置；第1电极(7)，其与应变电阻(11)的一端电连接；以及第2电极(7)，其与应变电阻的另一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113899488 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202110747897.4 (22)申请日 2021.07.02 (30)优先权数据 2020-1167