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2023-04-21 发布于四川
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公开了用于仅在例如3DNAND阶梯之类的结构的水平表面上形成硅氮化物(SiN)的方法。这允许用于后续形成通孔的较厚着陆垫。在一些实施方案中，所述方法涉及在阶梯上沉积SiN层，接着进行处理以相对于侧壁表面而选择性地使水平表面上的SiN层致密化。接着，执行湿蚀刻以将SiN从侧壁表面移除。选择性的处理在水平表面和侧壁之间造成明显不同的湿蚀刻速率(WER)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113892168 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202080039328.8 (74)专利代理机构上海胜康律师事务所 31263