集成电路结构和形成集成电路结构的方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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集成电路结构和形成集成电路结构的方法.pdf

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一种集成电路(IC)结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一有源区域和安置在第一有源区域上的第一栅极，其中，第一栅极沿平行于第一有源区域的纵向方向的第一方向具有第一有效栅极长度。第二晶体管包含第二有源区域和安置在第二有源区域上的第二栅极，并且包含沿第一方向布置并且彼此分离的多个栅极结构，其中，第二栅极沿第一方向具有第二有效栅极长度，第二有效栅极长度是第一有效栅极长度的n倍，并且n为大于1的正整数。根据本申请的其他实施例，还提供了形成集成电路结构的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889469 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110102099.6 (22)申请日 2021.01.26 (30)优先权数据 17/025,91