双色宽谱段探测器、双色宽谱段探测器阵列及制作方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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双色宽谱段探测器、双色宽谱段探测器阵列及制作方法.pdf

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本申请实施例提供了一种双色宽谱段短波红外探测器及其制作方法、双色宽谱段短波红外探测器阵列及其制作方法，该双色宽谱段短波红外探测器利用lnP衬底、lnP下接触层、第一吸收层、N型公共接触层以及第一P电极和N电极形成n‑i‑p型InGaAs探测器，利用P型掺杂区、扩展控制层、第二吸收层、缓冲层、N型公共接触层以及第二P电极和N电极形成p‑i‑n型多量子阱结构探测器，将两种探测器相结合，以实现波长0.9μm～2.6μm谱段的短波红外探测，且该双色宽谱段短波红外探测器中各组成结构均采用InP基III‑V

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903826 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 20201