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本发明公开了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,涉及蚀刻机技术领域,包括机箱,所述机箱的内腔设置有蚀刻台,所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘,所述固定盘的侧面设置有第一凸起部,所述固定盘的侧面设置有第二凸起部,所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机。该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机,通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合,推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动,使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域,使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面,并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903685 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111093050.5
(22)申请日 2021.09.17
(71)申请人 王珏
地址 3150
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