一种波导边缘集成耦合器及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.1万字
约 10页
2023-04-21 发布于四川
举报
版权申诉

一种波导边缘集成耦合器及其制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种波导边缘集成耦合器及其制备方法。耦合器结构包括PIC器件平台、SOI波导结构和硅微透镜；光线在PIC器件平台经SOI波导结构传输并出射，硅微透镜对光束进行模斑转换，改变光线轨迹并限制光线入射纤芯的角度，然后光线经空间传播后入射单模光纤纤芯。耦合器制备方法分为四个步骤，首先，设计并仿真SOI结构，得到波导出射的模式特性；其次，对透镜参数进行设计；接着，将耦合器与单模光纤进行联合仿真，得到理论耦合效率；最后，根据设计完成耦合结构制作，经实际的有源测试结果完成优化，确定最终参数和耦合方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113900181 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111105651.3 (22)申请日 2021.09.22 (71)申请人南京