像素化光电器件.pdfVIP

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公开了一种用于形成像素化光电堆叠的方法,该方法包括获得堆叠层结构,该堆叠层结构包括底部电极层、该底部电极层上方的光电层、以及该光电层上方的包括图案的图案化硬掩模;将该图案复制到该光电层和底部电极层中,以由此获得包括由无堆叠区域彼此隔开的至少两个堆叠岛的第一中间像素化堆叠;在该第一中间像素化堆叠上提供电绝缘层;移除该电绝缘层的顶部并移除任何剩余硬掩模以使得该电绝缘层的顶表面与该第一中间像素化堆叠的暴露的顶表面共面;产生第二中间像素化堆叠;以及在该第二中间像素化堆叠上方形成顶部透明电极层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889498 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110750501.1 (22)申请日 2021.07.02 (30)优先权数据

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