具有集成等离子体处理的束线架构.pdfVIP

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一种束线架构包括:晶片搬送腔室;真空加载锁,耦合到晶片搬送腔室以利于在大气环境与晶片搬送腔室之间传送工件;等离子体腔室,耦合到晶片搬送腔室且容纳等离子体源,以用于对工件执行等离子体预清洁工艺、等离子体增强型化学气相沉积工艺、等离子体退火工艺、预加热工艺、及刻蚀工艺中的至少一者;工艺腔室,耦合到晶片搬送腔室且适于对工件执行离子植入工艺;以及阀门,设置在晶片搬送腔室与等离子体腔室之间,以用于将等离子体腔室与晶片搬送腔室及工艺腔室密封隔绝,其中等离子体腔室内的压力与工艺腔室内的压力能够彼此独立地改变。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113906537 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202080041476.3 约瑟 ·C ·欧尔森  (22)申请日 2020

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